ITO面電阻

發(fā)布時間：2014-08-20

ITO膜導(dǎo)電性能采用的指標是方塊電阻，用R_□表示。

R_□與ITO的體電阻率及ITO膜厚有關(guān)。

如下圖是電流平行經(jīng)過ITO膜層的情形。圖中，d為膜厚；I為電流；L₁為膜層在電流方向上的長度；L₂為膜層在垂直電流方向的長度。

L₂

L₁

I

d

當(dāng)電流流過上圖所示的方形導(dǎo)電膜層時，該層的電阻為：

R_□

=

d

ρ

式中，p為導(dǎo)電膜的體電阻率。對于給定的膜厚層，p和d可以認為是不變的定值，當(dāng)L₁=L₂時，即為正方形的膜層，無論方塊大小如何，其電阻均為定值p/d，這就是方塊電阻的定義，即

R=ρxxx

L₁

dL₂

式中，R_□單位為：(Ω/□)。

方塊電阻通常用四探針測試儀來測定。

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